台积电公布路线图，A12、A13制程亮相，预计2029年投产

当地时间4月22日，台积台积电在美国加州圣塔克拉拉市举行的布路2026年北美技术论坛上公布了A12、A13亚纳米工艺制程，线图欧易并宣布将会在2029年量产。制程

在此之前，亮相台积电公布过的预计最先进的制程是A14，量产时间为2028年，年投而最新的台积A13制程的定义是A14的光学缩小版。A13没有重构，布路而是线图在完全兼容A14的设计规则和特性的前提下，将面积缩减了约6%，制程用更小的亮相尺寸提供同样强大的性能。

而A12则是预计欧易采用了第二代纳米片晶体管（GAA）技术以及背面供电的超级电轨（SPR）技术而打造，专门适配AI和HPC应用领域。年投其通过正面和背面同时微缩的台积方式，让晶体管密度显著提升，尽可能满足数据中心对算力的爆炸需求。同时，其首次采用SPR技术的A16制程被推迟到2027年量产，所以这个A12被台积电视为A16的下一代产品。

除此之外，台积电也宣布了第三代2nm制程N2U。相比第二代2nm制程N2P，它能够将速度提升3%~4%、功耗降低8%~10%、逻辑密度提升2%-3%，同样会用于AI、高速计算等领域，预计在2028年量产。台积电表示，尽管采用第一代2nm制程N2的芯片已经开始大规模量产，但3nm仍然是当下营收的大头。

图片来自《日经亚洲》

另外，台积电还宣布更新了CoWoS封装技术，在摩尔定律进入提升瓶颈的情况下，先进封装成为了提升性能的新路径。

为了支持AI对单一封装中更高算力、更大内存的要求，台积电正在生产5.5倍光罩尺寸的CoWoS，后续还有更大尺寸的版本推出，比如14倍光罩尺寸的CoWoS，计划于2028年开始生产。该尺寸能够整合大约10个大型计算芯片+20个HBM堆叠，进一步挑战物理极限。

除了它以外还有更大的，2029年还会有大于14倍光罩尺寸的CoWoS亮相，与同年推出的40倍光罩尺寸SoW-X系统级晶圆先进封装技术形成互补。

图片来自Counterpoint Research

目前，全世界有七成的芯片都来自台积电，先进制程领域的市场也是台积电占绝对大头，真的只能感叹一句“你大哥还是你大哥”。

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